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富士通FRAM強(qiáng)勢(shì)進(jìn)擊電表市場(chǎng)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)鏈上如數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)處理等各個(gè)環(huán)節(jié)的應(yīng)用提出了更高的要求。對(duì)于智能電表而言，數(shù)據(jù)記錄及存儲(chǔ)需
2021-05-06
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FRAM是車載存儲(chǔ)的優(yōu)先選擇對(duì)象？
富士通從1999年開始推FRAM產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)推了18年，應(yīng)該說已經(jīng)有不少客戶采用并認(rèn)可了FRAM產(chǎn)品。至于富士通為什么這么迫切的推FRAM也可以理解
2021-04-29
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Everspin MRAM增強(qiáng)了RIM智能電表的即時(shí)非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲(chǔ)器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強(qiáng)大的系統(tǒng)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)。Everspin的4Mbit MR25H40 MRAM專為需要
2021-04-27
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Q2內(nèi)閃存價(jià)格都漲價(jià)？
根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM存儲(chǔ)芯片價(jià)格已正式進(jìn)入上漲周期，第二季受到終端產(chǎn)品需求持續(xù)暢旺以及資料中心需求回升的帶動(dòng)，買方急欲提高DR
2021-04-25
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在邊緣使用MRAM是其另一個(gè)潛在應(yīng)用
MRAM通過外加電壓控制的磁體方向來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的每個(gè)bit位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)bit位所需的電壓，則可能只有一位翻轉(zhuǎn)。我們不希望存在這種隨機(jī)性
2021-04-22
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)概覽
從市場(chǎng)規(guī)模來看，當(dāng)下最主流的存儲(chǔ)器是DRAM，Nand Flash和NOR Flash，這三者占據(jù)了所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器規(guī)模的95%左右，尤其是前兩者，占總量
2021-04-19
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