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MCU漲價的主要因素還得從供需來看
首先需求方面來說，疫情導(dǎo)致在線教育與辦公需求增長，導(dǎo)致對應(yīng)的驅(qū)動IC、電源管理IC及功率元件需求增長，而一季度之后，疫情得到有效遏制，
2020-12-11
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NAND FLASH系統(tǒng)的權(quán)衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型和低功耗且堅固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時
2020-12-09
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易失性存儲DRAM詳解
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單,每
2020-12-08
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非易失性Flash詳解
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片
2020-12-04
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嵌入式STT-MRAM效應(yīng)與流致反轉(zhuǎn)
最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程，因此當(dāng)時MRAM的存貯密度遠遠不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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SRAM的容量擴展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機相匹配時，可用地址線擴展和
2020-11-30
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