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非易失性MRAM關(guān)鍵特性-MR2A16A
經(jīng)過超過八年的MRAM研發(fā)，Everspin MR2A16A是第一款4MbitMRAM商業(yè)設(shè)備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步設(shè)計，帶有標(biāo)準(zhǔn)的
2020-09-14
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非易失性存儲器平衡方法
非易失性存儲器在高級節(jié)點上變得越來越復(fù)雜，在高級節(jié)點上的價格和速度，功率和利用率正在成為一些非常特定于應(yīng)用程序的折衷，以決定該存儲
2020-09-09
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EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算
本篇文章存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲器EEPROM與Flash消耗能量計算。首先，我們來看看非易失性存儲器在典型的3 3V EEPRO
2020-09-07
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串行MRAM消耗的能量
MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯
2020-09-03
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SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況
SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)
2020-09-01
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Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)如何工作
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm
2020-08-28
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