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異步快速Async Fast
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異步快速存儲器芯片（Async Fast SRAM）異步快速存儲器芯片（Async Fast SRAM）

一般來說單片機(jī)MCU會采用異步靜態(tài)歲級存儲器，
另外有些以并行方式接口的模擬/數(shù)字I/O器件，如A/D、D/A、開入/開出等，也會采用異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器，
靜態(tài)隨機(jī)存儲器比DRAM快些，并依賴于CPU的時(shí)鐘，
存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。
RenesasRenesas 瑞薩電子通過完整的半導(dǎo)體解決方案提供值得信賴的嵌入式設(shè)計(jì)創(chuàng)新,使數(shù)十億連接的智能設(shè)備能夠增強(qiáng)人們的安全和安全生活方式,,以下產(chǎn)品是為異步快速存儲器芯片簡稱為：Async Fast SRAM，速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V，可以滿足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計(jì)，NETSOL品牌的容量大小高達(dá)32Mbit，相對Lyontek產(chǎn)品容量較大，如需要容量較大的應(yīng)用設(shè)計(jì)，可以采取NETSOL品牌的產(chǎn)品。
型號 容量 位寬(bit) 封裝 存取時(shí)間(ns) 電壓(V) 工作溫度 PDF
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R1RW0416DSB-2PR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 0°C to 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-2PI 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 -40°C to 85°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-2LR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 3.0 to 3.6 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
R1RW0416DSB-0PR 4Mb x 16 TSOPII(44) 10 3.0 to 3.6 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
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R1RP0416DSB-2SR 4Mb x 16 TSOPII(44) 12 4.5 to 5.5 0 °Cto 70°C 聯(lián)系我們
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備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。